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1H7G-TP

1H7G-TP

Nur als Referenz

Teilenummer 1H7G-TP
PNEDA Teilenummer 1H7G-TP
Beschreibung DIODE HI EFF R-2
Hersteller Micro Commercial Co
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Auf Lager 5.526
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1H7G-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1H7G-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1H7G-TP, 1H7G-TP Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 718,18 KB)
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1H7G-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.15pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallR-1, Axial
LieferantengerätepaketR-1
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

350A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AB, DO-9

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-45°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MBRF16100HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MB3035S-E3/4W

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

980pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

183NQ080-1

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

180A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 180A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4.5mA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

4150pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

HALF-PAK

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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