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1985-MBT2222A

1985-MBT2222A

Nur als Referenz

Teilenummer 1985-MBT2222A
PNEDA Teilenummer 1985-MBT2222A
Beschreibung TRANS NPN SOT-23
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.478
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 29 - Feb 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1985-MBT2222A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1985-MBT2222A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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1985-MBT2222A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie*
Transistortyp-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/391

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

JAN2N3792

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/379

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 2A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3A, 2V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3 (TO-204AA)

2SCR543RTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-96

Lieferantengerätepaket

TSMT3

BC237BBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Leistung - max

100mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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