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183NQ080

183NQ080

Nur als Referenz

Teilenummer 183NQ080
PNEDA Teilenummer 183NQ080
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 80V 180A HALFPAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $328,7484
50 ---------- $313,3383
100 ---------- $297,9283
200 ---------- $282,5182
400 ---------- $269,6764
500 ---------- $256,8347
Auf Lager 251
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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183NQ080 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer183NQ080
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
183NQ080, 183NQ080 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 100,38 KB)
PDF183NQ100R Datenblatt Cover
183NQ100R Datenblatt Seite 2 183NQ100R Datenblatt Seite 3 183NQ100R Datenblatt Seite 4 183NQ100R Datenblatt Seite 5

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183NQ080 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Current - Average Rectified (Io)180A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 180A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr4.5mA @ 80V
Kapazität @ Vr, F.4150pF @ 5V, 1MHz
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD-67 HALF-PAK
LieferantengerätepaketHALF-PAK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 20A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

CD214A-B140LR

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

380mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

2-SMD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

HS1KL M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R6030825HSYA

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

250A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AB, DO-9

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-45°C ~ 150°C

NSR201MXT5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2V

Current - Average Rectified (Io)

50mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

0.15pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

2-X2DFN (1x0.6)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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