183NQ080
Nur als Referenz
| Teilenummer | 183NQ080 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 183NQ080 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 80V 180A HALFPAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 251 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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183NQ080 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | 183NQ080 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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183NQ080 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
| Current - Average Rectified (Io) | 180A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 180A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 4.5mA @ 80V |
| Kapazität @ Vr, F. | 4150pF @ 5V, 1MHz |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-67 HALF-PAK |
| Lieferantengerätepaket | HALF-PAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 830µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 160pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2V Current - Average Rectified (Io) 50mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. 0.15pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-XDFN Lieferantengerätepaket 2-X2DFN (1x0.6) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 20A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
