11LC160T-I/MNY
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| Teilenummer | 11LC160T-I/MNY |
| PNEDA Teilenummer | 11LC160T-I-MNY |
| Beschreibung | IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8TDFN |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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11LC160T-I/MNY Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 11LC160T-I/MNY |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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11LC160T-I/MNY Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Single Wire |
| Taktfrequenz | 100kHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 5ms |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-TDFN (2x3) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle SPI, QPI Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 800µs Zugriffszeit 7ns Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-USON (2x3) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 144Kb (16K x 9) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 80-LQFP Lieferantengerätepaket 80-TQFP (14x14) |
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