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113MT120KB

113MT120KB

Nur als Referenz

Teilenummer 113MT120KB
PNEDA Teilenummer 113MT120KB
Beschreibung BRIDGE RECT 3P 1.2KV 110A MTK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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113MT120KB Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer113MT120KB
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
113MT120KB, 113MT120KB Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 135,3 KB)
PDF93MT160KB Datenblatt Cover
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  • 113MT120KB Distributor

113MT120KB Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypThree Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1.2kV
Current - Average Rectified (Io)110A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Strom - Umkehrleckage @ Vr20mA @ 1200V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMTK
LieferantengerätepaketMTK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

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Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, GBPC-W

Lieferantengerätepaket

GBPC-W

GBPC5008W-G

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, GBPC-W

Lieferantengerätepaket

GBPC-W

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBP

Lieferantengerätepaket

KBP

GBUE2560-M3/P

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

4.9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

VS-KBPC802PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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