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110MT80KB

110MT80KB

Nur als Referenz

Teilenummer 110MT80KB
PNEDA Teilenummer 110MT80KB
Beschreibung BRIDGE RECT 3PHASE 800V 110A MTK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.496
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110MT80KB Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer110MT80KB
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
110MT80KB, 110MT80KB Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 95,06 KB)
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110MT80KB Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypThree Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)800V
Current - Average Rectified (Io)110A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 150A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10mA @ 1000V
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMTK
LieferantengerätepaketMTK

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Diodentyp

Single Phase

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Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 12.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

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35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

4-Square, GBPC

Lieferantengerätepaket

GBPC

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

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