XN0NE9200L Datenblatt
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Panasonic Electronic Components
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XN0NE9200L
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 800mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 600mW (Ta) Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Mini5-G1 Paket / Fall SC-74A, SOT-753 |
