VS-GP400TD60S Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GP400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ PT, Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 758A Leistung - max 1563W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.52V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Dual INT-A-PAK (3 + 8) Lieferantengerätepaket Dual INT-A-PAK |