VS-GB400TH120U Datenblatt
VS-GB400TH120U Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB400TH120U
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 660A Leistung - max 2660W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 33.7nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
