VS-GB150YG120NT Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
VS-GB150YG120NT
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 182A Leistung - max 892W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 120µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket ECONO3 4PACK |
