VS-FC80NA20 Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-FC80NA20
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 108A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10720pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 405W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227 Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
