VS-EMG050J60N Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
VS-EMG050J60N
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 88A Leistung - max 338W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.5nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall EMIPAK2 Lieferantengerätepaket EMIPAK2 |
