VS-50MT060WHTAPBF Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-50MT060WHTAPBF
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 114A Leistung - max 658W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 400µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.1nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 12-MTP Module Lieferantengerätepaket MTP |
