VMO650-01F Datenblatt
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IXYS
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VMO650-01F
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 690A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 130mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2300nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 59000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2500W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket Y3-DCB Paket / Fall Y3-DCB |
