Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

VBT3080S-M3/4W Datenblatt

VBT3080S-M3/4W Datenblatt
Total Pages: 4
Größe: 97,78 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: VBT3080S-M3/4W, VBT3080S-M3/8W
VBT3080S-M3/4W Datenblatt Seite 1
VBT3080S-M3/4W Datenblatt Seite 2
VBT3080S-M3/4W Datenblatt Seite 3
VBT3080S-M3/4W Datenblatt Seite 4
VBT3080S-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VBT3080S-M3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C