UPA2766T1A-E1-AY Datenblatt
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 130A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.82mOhm @ 39A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 257nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10850pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HVSON (5.4x5.15) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.82mOhm @ 39A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 257nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10850pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HVSON (5.4x5.15) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
