UPA1912TE(0)-T1-AT Datenblatt
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Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
UPA1912TE(0)-T1-AT
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-95 Paket / Fall SC-95 |
