TPCF8B01(TE85L Datenblatt
TPCF8B01(TE85L Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
TPCF8B01(TE85L,F,M
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIII FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 330mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket VS-8 (2.9x1.5) Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
