TLP331(BV Datenblatt
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 200% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 1200% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 10µs, 8µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8µs, 8µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 55V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 1200% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 10µs, 8µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8µs, 8µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 55V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 1200% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 10µs, 8µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8µs, 8µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 55V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
