TLP291(GR-TP Datenblatt
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 300% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7µs, 7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 300% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7µs, 7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7µs, 7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7µs, 7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7µs, 7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 4-SO |
