TLP185(TPR Datenblatt
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 200% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 300% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 300% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 9µs, 9µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 9µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |