TK55D10J1(Q) Datenblatt
TK55D10J1(Q) Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 173,1 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
TK55D10J1(Q)
|
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 55A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 140W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220(W) Paket / Fall TO-220-3 |
