TH58BVG2S3HTA00 Datenblatt
TH58BVG2S3HTA00 Datenblatt
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Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HTA00
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Hersteller Toshiba Memory America, Inc. Serie Benand™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND (SLC) Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
