TH58BVG2S3HBAI4 Datenblatt
TH58BVG2S3HBAI4 Datenblatt
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Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HBAI4
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Hersteller Toshiba Memory America, Inc. Serie Benand™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND (SLC) Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 63-VFBGA Lieferantengerätepaket 63-TFBGA (9x11) |
