TC58CYG2S0HRAIG Datenblatt
TC58CYG2S0HRAIG Datenblatt
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Toshiba Memory America, Inc.
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TC58CYG2S0HRAIG
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Hersteller Toshiba Memory America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND (SLC) Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-WSON (6x8) |
