SUP90N08-6M8P-E3 Datenblatt
SUP90N08-6M8P-E3 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 106,07 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SUP90N08-6M8P-E3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4620pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
