SUM33N20-60P-E3 Datenblatt
SUM33N20-60P-E3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SUM33N20-60P-E3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 20A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 15V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2735pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.12W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
