SUD50P04-08-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SUD50P04-08-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 159nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5380pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
