SUD50N03-11-E3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SUD50N03-11-E3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
