SUD45P03-15-E3 Datenblatt
SUD45P03-15-E3 Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 75,51 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SUD45P03-15-E3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4W (Ta), 70W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
