STW62N65M5 Datenblatt
STW62N65M5 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 894,57 KB
STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STW62N65M5
|
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6420pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 330W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
