STT4PF20V Datenblatt
STT4PF20V Datenblatt
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STMicroelectronics
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STT4PF20V
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-6 Paket / Fall SOT-23-6 |