STS8C5H30L Datenblatt
STS8C5H30L Datenblatt
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STMicroelectronics
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STS8C5H30L
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ III FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |