STS4DNFS30L Datenblatt
STS4DNFS30L Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STS4DNFS30L
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
