STS4C3F60L Datenblatt
STS4C3F60L Datenblatt
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STMicroelectronics
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STS4C3F60L
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |