STP130N8F7 Datenblatt
STP130N8F7 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STP130N8F7
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ F7 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 205W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
