STN2NE10L Datenblatt
STN2NE10L Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STN2NE10L
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
