Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STL9P3LLH6 Datenblatt

STL9P3LLH6 Datenblatt
Total Pages: 15
Größe: 593,33 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STL9P3LLH6
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 1
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 2
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 3
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 4
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 5
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 6
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 7
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 8
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 9
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 10
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 11
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 12
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 13
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 14
STL9P3LLH6 Datenblatt Seite 15
STL9P3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ H6

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN