STL16N1VH5 Datenblatt
STL16N1VH5 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STL16N1VH5
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 500mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2085pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |