STL13N60M2 Datenblatt
STL13N60M2 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STL13N60M2
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Plus FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 55W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall 8-PowerVDFN |
