STK800 Datenblatt
STK800 Datenblatt
Total Pages: 16
Größe: 519,93 KB
STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STK800
|
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.4nC @ 4.5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PolarPak® Paket / Fall PolarPak® |
