STGYA120M65DF2 Datenblatt
STGYA120M65DF2 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STGYA120M65DF2
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Hersteller STMicroelectronics Serie * IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Leistung - max 625W Schaltenergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 66ns/185ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 202ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad Lieferantengerätepaket MAX247™ |
