STGW60H65DFB-4 Datenblatt
STGW60H65DFB-4 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STGW60H65DFB-4
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie HB IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A Leistung - max 375W Schaltenergie 346µJ (on), 1.161mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 65ns/261ns Testbedingung 400V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |