STGW35NB60SD Datenblatt
STGW35NB60SD Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STGW35NB60SD
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A Leistung - max 200W Schaltenergie 840µJ (on), 7.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 83nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 92ns/1.1µs Testbedingung 480V, 20A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 44ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
