STGP19NC60SD Datenblatt
STGP19NC60SD Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STGP19NC60SD
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 12A Leistung - max 130W Schaltenergie 135µJ (on), 815µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17.5ns/175ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
