STGF3NC120HD Datenblatt
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 25W Schaltenergie 236µJ (on), 290µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/118ns Testbedingung 800V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 51ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 75W Schaltenergie 236µJ (on), 290µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/118ns Testbedingung 800V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 51ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 75W Schaltenergie 236µJ (on), 290µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/118ns Testbedingung 800V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 51ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
