STGF12NB60KD Datenblatt
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 12A Leistung - max 30W Schaltenergie 152µJ (on), 258µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/96ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 258µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/96ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 258µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/96ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |