STGD7NB120S-1 Datenblatt
STGD7NB120S-1 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STGD7NB120S-1
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A Leistung - max 55W Schaltenergie 15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 570ns/- Testbedingung 960V, 7A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket I-PAK |
