STGB4M65DF2 Datenblatt
STGB4M65DF2 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STGB4M65DF2
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Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 16A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A Leistung - max 68W Schaltenergie 40µJ (on), 136µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/86ns Testbedingung 400V, 4A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 133ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
