STGB3NB60SDT4 Datenblatt
STGB3NB60SDT4 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STGB3NB60SDT4
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 3A Leistung - max 70W Schaltenergie 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 125ns/3.4µs Testbedingung 480V, 3A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
